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N P Canal Mosfet

MOSFET STL150N3LLH5 N-canal 30 V PowerFLAT N P Canal Mosfet

MOSFET STL150N3LLH5 N-canal 30 V PowerFLAT N P Canal Mosfet

STL150N3LLH5 MOSFET N-channel 30 V PowerFLAT N P Channel Mosfet
Stock: 2000pcs
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET
Stock: 200PCS
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.

Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.
BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Canal Mosfet

BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Canal Mosfet
D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet

D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C

FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET de canal N IC 30V con conmutación rápida Mosfet

SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET de canal N IC 30V con conmutación rápida Mosfet
SI7121DN-T1-GE3 MOSFET de canal P IC 30V 16A 52W 1,8mohm 10V

SI7121DN-T1-GE3 MOSFET de canal P IC 30V 16A 52W 1,8mohm 10V
OPA657N/250 Amplificadores operativos de alta velocidad 1.6GHz con bajo ruido FET-entrada Op Amp IC

OPA657N/250 Amplificadores operativos de alta velocidad 1.6GHz con bajo ruido FET-entrada Op Amp IC
Imagenparte #DescripciónfabricanteLas existenciasCuadros de trabajo
NTR1P02LT1G Canal P 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Montado en la superficie SOT-23-3 (TO-236)

NTR1P02LT1G Canal P 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Montado en la superficie SOT-23-3 (TO-236)
NTR1P02LT1G Canal P 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Montado en la superficie SOT-23-3 (TO-236)
En el caso de las
2000 piezas
VT6M1T2CRMosfet Array 20V 100mA 120mW Monte de superficie VMT6 N P Canal Mosfet

VT6M1T2CRMosfet Array 20V 100mA 120mW Monte de superficie VMT6 N P Canal Mosfet
VT6M1T2CRMosfet Array 20V 100mA 120mW Monte de superficie VMT6 N P Canal Mosfet
ROHM
1000 piezas
PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Monte de superficie DFN1010B-6

PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Monte de superficie DFN1010B-6
PMCXB900UE Mosfet Array 20V 600mA 500mA 265mW Monte de superficie DFN1010B-6
Nexperia
2000 piezas
APT10090BLL Tecnología de microchip MOSFET FG MOSFET 1000V a 247 RoHS

APT10090BLL Tecnología de microchip MOSFET FG MOSFET 1000V a 247 RoHS
APT10090BLL Tecnología de microchip MOSFET FG MOSFET 1000V a 247 RoHS
El microchip
1000 piezas
PMCXB900UE 20V complementario MOSFET de canal de zanja N/P MOSFET de canal N P

PMCXB900UE 20V complementario MOSFET de canal de zanja N/P MOSFET de canal N P
PMCXB900UE 20V complementario MOSFET de canal de zanja N/P MOSFET de canal N P
Nexperia
2000 piezas
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Canal Mosfet

BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Canal Mosfet
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np Canal Mosfet
INFINEON
2000 piezas
FDC608PZ MOSFET -20V P-Canal 2.5V PowerTrench MOSFET N y P Mosfet

FDC608PZ MOSFET -20V P-Canal 2.5V PowerTrench MOSFET N y P Mosfet
FDC608PZ MOSFET -20V P-Canal 2.5V PowerTrench MOSFET N y P Mosfet
En el caso de las
1000 unidades
SI4632DY-T1 Canal N 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Montaje de superficie 8-SOIC

SI4632DY-T1 Canal N 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Montaje de superficie 8-SOIC
SI4632DY-T1 N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta) 7.8W (Tc) Superficie montada 8-SOIC
Vishay.
5000 piezas
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Canal de Mosfet

MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Canal de Mosfet
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP Canal de Mosfet
INFINEON
500 ejemplares
IXFT15N100Q N-Canal 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Montaje de superficie TO-268AA

IXFT15N100Q N-Canal 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Montaje de superficie TO-268AA
IXFT15N100Q N-Canal 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Montaje de superficie TO-268AA
IXYS
1000 piezas
MOSFET STL150N3LLH5 N-canal 30 V PowerFLAT N P Canal Mosfet

MOSFET STL150N3LLH5 N-canal 30 V PowerFLAT N P Canal Mosfet
MOSFET STL150N3LLH5 N-canal 30 V PowerFLAT N P Canal Mosfet
STMicroelectrónica
2000 piezas
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET
D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de potencia RF de empuje y tira MOSFET
Los resultados obtenidos
200 PCS
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.

Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.
BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Canal Mosfet

BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Canal Mosfet
D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet

D1028UK RF MOSFET Transistores RF MOSFET N-CH 70V 30A Casilla de 5 pines DR p canal de mosfet
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C

FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET de canal N IC 30V con conmutación rápida Mosfet

SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET de canal N IC 30V con conmutación rápida Mosfet
SI7121DN-T1-GE3 MOSFET de canal P IC 30V 16A 52W 1,8mohm 10V

SI7121DN-T1-GE3 MOSFET de canal P IC 30V 16A 52W 1,8mohm 10V
OPA657N/250 Amplificadores operativos de alta velocidad 1.6GHz con bajo ruido FET-entrada Op Amp IC

OPA657N/250 Amplificadores operativos de alta velocidad 1.6GHz con bajo ruido FET-entrada Op Amp IC
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