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Transistores de RF

BLF574 Mosfet de RF 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistores

BLF574 Mosfet de RF 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistores

BLF574 RF Mosfet 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistors
Stock: 200PCS
SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR El transistor de transmisión de radio de alta frecuencia es el transistor de transmisión de radio de alta frecuencia más potente del mundo.

SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR El transistor de transmisión de radio de alta frecuencia es el transistor de transmisión de radio de alta frecuencia más potente del mundo.

SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Stock: 200PCS
BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A

BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A

BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A
Stock: 200PCS
Transistores de MOSFET RF BLF6G10LS-135RN Trans MOSFET N-CH 65V 32A de 3 pines

Transistores de MOSFET RF BLF6G10LS-135RN Trans MOSFET N-CH 65V 32A de 3 pines

BLF6G10LS-135RN RF MOSFET Transistors Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin
Stock: 200PCS
IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB

IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB

IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors
Stock: 500pcs
MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios

MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios

MJ13333 SWITCHMODE Series 20 AMPERE NPN Silicon Power Transistor 400- 500 VOLTS 175 WATTS
Stock: 1000PCS
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB 500W NI-780 RF Transistors
Stock: 100PCS
PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP

PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP

PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Output Channel 4-DIP Transistor
Stock: 1000pcs
ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232

ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232

ADM2209EARUZ RS-232 Interface IC World s Smallest Dual-Port 6 Tx/10 Rx RS-232
Stock: 3000pcs
S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23

S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23

S9014 Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-23
Stock: 3000pcs
Imagenparte #DescripciónfabricanteLas existenciasCuadros de trabajo
BLF574 Mosfet de RF 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistores

BLF574 Mosfet de RF 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistores
BLF574 Mosfet de RF 50V 1 A 225MHz 26.5dB 400W SOT539A Transistores
Amfenol
200 piezas
SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR El transistor de transmisión de radio de alta frecuencia es el transistor de transmisión de radio de alta frecuencia más potente del mundo.

SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR El transistor de transmisión de radio de alta frecuencia es el transistor de transmisión de radio de alta frecuencia más potente del mundo.
SQ201 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
Políferos
200PCS
BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A

BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A
BLS9G2729L-350 RF Mosfet 28V 400 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 14dB 350W SOT502A
Amfenol
200 piezas
Transistores de MOSFET RF BLF6G10LS-135RN Trans MOSFET N-CH 65V 32A de 3 pines

Transistores de MOSFET RF BLF6G10LS-135RN Trans MOSFET N-CH 65V 32A de 3 pines
Transistores de MOSFET RF BLF6G10LS-135RN Trans MOSFET N-CH 65V 32A de 3 pines
Amfenol
200 piezas
IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB

IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB
IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB
INFINEON
500 piezas
MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios

MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios
MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios
Motorola también
1000 piezas
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W
Qorvo
100 PCS
PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP

PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP
PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP
Es muy afilado.
1000 piezas
ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232

ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232
ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232
DDA por día
3 000 unidades
S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23

S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23
S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23
JSCJ
3 000 unidades
FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
En el caso de las
2000 piezas
Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña

Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña
Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña
El microchip
1000 piezas
VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 canal

VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 canal
VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 cana
Vishay.
2000 piezas
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
toshiba
2000 piezas
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
toshiba
2000 piezas
Transistores de RF de 1,25 W

Transistores de RF de 1,25 W
J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia

J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia
BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB

BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB
BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia
ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine

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