BSC020N03MSG N-Ch MOSFET IC 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M N P Canal Mosfet
Se aplicará el procedimiento siguiente:
,El número de unidades de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.
,TDSON-8 N-Ch MOSFET IC
Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en la información de los usuarios.
| Enfinado | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Sí, sí. | |
| DSM/SMT | |
| TDSON-8 | |
| N-canal | |
| 1 Canal | |
| 30 V | |
| 25 A | |
| 1.7 mOhms | |
| - 20 V, más 20 V | |
| 1 V | |
| 60 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| 96 W | |
| Mejoramiento | |
| OptiMOS | |
| Optimos 3M | |
| El rollo | |
| Cortar la cinta | |
| MouseReel es un juego de cartas. | |
| Marca: | Tecnologías Infineon |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 14 años |
| Transconductividad hacia adelante - Min: | 60 S |
| Alturas: | 1.27 mm |
| Duración: | 5.9 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de ascenso: | 14 años |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 36 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 27 ns |
| Ancho: | 5.15 mm |
| Peso unitario: | 0.003880 onzas |
Descripción
El BSC020N03MSG es un componente MOSFET de potencia fabricado por Infineon Technologies AG.
Es parte de la familia OptiMOS M-Series Power-MOSFET.
Los transistores de efecto de campo (TFT) se utilizan ampliamente en la electrónica de potencia para aplicaciones de conmutación.
Características
•Optimizado para aplicaciones de controladores de 5V (cuaderno de notas, VGA, POL)
•LowFOMSW para SMPS de alta frecuencia
•100% Prueba de avalancha
•N-canal
•Resistencia muy baja (RDS) @VGS=4,5V
•Excelente precio de entrada en el mercado (RDS) del producto (FOM)
•Cualificados de acuerdo con la JEDEC1) para aplicaciones objetivo
•Mejor resistencia térmica
•Pb-free-plating;compatible con la Directiva RoHS
• Libre de halógenos de acuerdo con la IEC 61249-2-21.
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Optimizado para aplicaciones de controladores de 5V como portátiles, VGA y POL (punto de carga)
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Baja FOMSW (Figura de mérito por conmutación) para SMPS de alta frecuencia (alimentadores de modo conmutado)
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Prueba del 100% en avalancha para obtener un rendimiento fiable
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MOSFET de canal N
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Resistencia de encendido muy baja (RDS ((on)) a VGS=4,5V
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Precio de entrada excelente x RDS ((on) producto (FOM)
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Calificado de acuerdo con las normas JEDEC para aplicaciones específicas
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Tipo de envase: PG-TDSON-8
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Resistencia térmica superior para una disipación de calor eficiente
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Revestimiento libre de Pb y conforme a la Directiva RoHSLas demás:.
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Sin halógenos de acuerdo con la norma IEC 61249-2-21
