Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.
Categoría:
N P Canal Mosfet
Precio:
Email us for details
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/FEDEX
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Paquete:
WPAK8
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Resaltar:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
,Se aplicarán las siguientes medidas:
,Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Introducción
Se trata de un sistema de transmisión de energía que se utiliza para la transmisión de energía a través de un sistema de transmisión de energía. N P Canal Mosfet
| STMicroelectrónica | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Sí, sí. | |
| DSM/SMT | |
| PowerFLAT-5x6-8 y el otro | |
| N-canal | |
| 1 Canal | |
| 30 V | |
| 150 A | |
| 1.75 mOhms | |
| - 22 V, + 22 V | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| 80 W | |
| Mejoramiento | |
| Las demás especies | |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | |
| El rollo | |
| Cortar la cinta | |
| MouseReel es un juego de cartas. | |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 47.8 ns |
| Alturas: | 0.81 mm |
| Duración: | 5 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de ascenso: | 30.8 ns |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 65.8 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 17.2 ns |
| Ancho: | 6 mm |
| Peso unitario: | 0.002681 onzas |
Descripción
Esta tecnología STripFETTMV Power MOSFET se encuentra entre las últimas mejoras, que han sido
especialmente diseñados para lograr una resistencia muy baja en estado activo, proporcionando también uno de los mejores FOM de su clase.
Este producto utiliza la 5a generación de reglas de diseño de la tecnología patentada STripFET TM de ST.
El RDS más bajo disponible en este paquete de escala de chips hace que este dispositivo sea adecuado para la mayoría de los
aplicaciones exigentes de convertidores CC-CC, donde
Se debe lograr una alta densidad de potencia.
El RDS más bajo disponible en este paquete de escala de chips hace que este dispositivo sea adecuado para la mayoría de los
aplicaciones exigentes de convertidores CC-CC, donde
Se debe lograr una alta densidad de potencia.
Características
■ RDS ((en) * Qg índice de referencia del sector
■ RDS de resistencia de encendido extremadamente baja (encendido)
■ Alta robustez en las avalanchas
■ Bajas pérdidas de potencia del accionamiento de puertas
Aplicación
■ Cambio de aplicaciones
El STL150N3LLH5 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por STMicroelectronics.
Es parte de la serie STripFETTM V y está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y baja pérdida de rendimiento.
Este MOSFET tiene un voltaje máximo de drenaje a la fuente de 30V y una corriente de drenaje continua de 35ALas demás:.
Las especificaciones principales del STL150N3LLH5:
- Tipo: MOSFET de potencia de canal N
- Vgs (tensión de puerta a fuente): ±22V
- ID (corriente de drenaje continua): 35A
- Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 1,75mΩ @ 17,5A, 10V
- Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
- Disposición máxima de energía: 114 W Tc
- La carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 40nC @ 4,5V
- Tiempo de retraso de encendido: 17,2 s
- Tiempo de retraso de apagado: 65.8 ns
- Tiempo de ascenso: 30.8s
- Tiempo de caída (tipo): 47,8 segundos
- Nivel de energía de avalancha (Eas): 300 mJ
- Dimensiones: 5 mm x 6 mm x 950 μmLas demás:
Aplicaciones:
- Fuentes de alimentación y fuentes de alimentación de conmutación
- Control del motor
- Los amplificadores
- Industria de la automatización para la conmutación de corrientes de sobretensiones
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
1pcs
