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Transistores de RF

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
Stock: 2000PCS
Transistores de RF de 1,25 W

Transistores de RF de 1,25 W
J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia

J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia
BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB

BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB
BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia
ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine

ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine
Imagenparte #DescripciónfabricanteLas existenciasCuadros de trabajo
IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB

IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB
IRF1407PBF Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero para los transistores RF 220AB
INFINEON
500 piezas
MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios

MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios
MJ13333 SwitchMODE Serie 20 AMPERE NPN Transistor de potencia de silicio 400- 500 VOLTS 175 vatios
Motorola también
1000 piezas
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W
QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1.7GHz 23.9dB Transistores RF NI-780 de 500 W
Qorvo
100 PCS
PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP

PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP
PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator Transistor de salida de canal 4 DIP
Es muy afilado.
1000 piezas
ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232

ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232
ADM2209EARUZ RS-232 Interfaz IC de doble puerto más pequeño del mundo 6 Tx/10 Rx RS-232
DDA por día
3 000 unidades
S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23

S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23
S9014 Transistor bipolar (BJT) NPN 45V 100mA 150MHz 200mW Montaje de superficie SOT-23
JSCJ
3 000 unidades
FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
En el caso de las
2000 piezas
Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña

Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña
Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña
El microchip
1000 piezas
VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 canal

VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 canal
VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 cana
Vishay.
2000 piezas
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
toshiba
2000 piezas
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
toshiba
2000 piezas
Transistores de RF de 1,25 W

Transistores de RF de 1,25 W
J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia

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BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB

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BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

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ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine

ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine
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