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BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

Categoría:
Transistores de RF
Precio:
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Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/FEDEX
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Paquete:
16NEP
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Introducción

BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores

Diodos de aluminio
Categoría de producto: Mejora del canal P
La norma RoHS: Detalles
-
16NEP
Estándar
Peso unitario: - Oz

 

Este transistor es adecuado para amplificadores de potencia de RF en varias aplicaciones como la comunicación inalámbrica,

de radiodifusión y equipos de RF industriales.

● Modo de mejora del canal P
● Tecnología de transistores DMOS
● Alta capacidad de manejo de energía
● Amplio rango de frecuencias
● Bajo nivel de ruido
● Gran ganancia
● Buena linealidad
● Pequeña distorsión de la señal
● Compatible con la norma RoHS

 

 

Características
• Alta tensión de ruptura
• Alta impedancia de entrada
• Velocidad de cambio rápida
• Especialmente adecuado para subconjuntos telefónicos
• Ideal para el montaje automático de la superficie

 

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

 

 

 

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia


 

BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia

 

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Las existencias:
Cuota de producción:
1pcs