NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
NT1comunicación
,Chip de DRAM de 2Gbit
,NT1combustible de carbono
NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
| Modelo | NT1comunicación |
| Densidad de DRAM | 2Gb |
| Configuración | x16 |
| Válvula de tensión | 1.35V |
| Paquete | BGA de 96 bolas |
| Velocidad | 1866 Mbps |
| Temperatura | -40 °C ~ 95 °C |
| Grado | Industriales |
Descripciones
Conforme con el DDR3 de JEDEC
Arquitectura de 8n Prefetch
¢ Reloj diferencial ((CK/CK) y Strobe de datos ((DQS/DQS)
¢ Tasa de doble transmisión de datos en las DQ, DQS y DM
Integridad de los datos
Auto-refresh (ASR) por DRAM incorporado en el TS
Modos de actualización automática y auto-actualización
Modo de ahorro de energía
El modo apagado
Integridad de la señal
¢ DS configurable para la compatibilidad del sistema
¢ Calibración ZQ para la precisión de la impedancia DS/ODT mediante
Pad ZQ externo (240 ohms ± 1%)
Sincronización de la señal
¢ Escribir nivelación a través de la configuración de MR 5
Leer la nivelación mediante MPR
Interfaz y fuente de alimentación
¢ SSTL_15 para DDR3:VDD/VDDQ=1,5V ((±0,075V)
¢ SSTL_1353 para DDR3L:VDD/VDDQ=1,35V ((-0,067/+0,1V)
Opciones
La velocidad máxima de la unidad de ensayo será la velocidad máxima de ensayo.
2133 Mbps / 14-14-14
- ¿ Qué pasa? - ¿ Qué pasa?
¢ 1600 Mbps / 11-11-11
Intervalo de temperatura (Tc) 3
️ Calidad comercial = 0°C~95°C
Clasificación casi industrial (-T) = -40°C~95°C
Grado industrial (-I) = -40 °C a 95 °C
Funciones programables
La latencia del CAS (6/7/8/9/10/11/13/14)
Tasa de latencia de escritura del CAS (5/6/7/8/9/10)
La latencia aditiva (0/CL-1/CL-2)
Escribe el tiempo de recuperación (5/6/7/8/10/12/14/16)
Tipo de estallido (secuencial/interrelacionado)
Duración del estallido (BL8/BC4/BC4 o 8 a la marcha)
Se rejuvenece a sí mismoRango de temperatura ((Normal/Extendido)
Impedancia del conductor de salida (34/40)
En el momento de la terminación de Rtt_Nom ((20/30/40/60/120)
En el momento de la terminación de Rtt_WR ((60/120)
Precarga Desactivación (lenta/rápida)
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd es un proveedor a gran escala especializado en circuitos integrados de semiconductores famosos (ICS) de todo el mundo.
Tenemos muchos años de experiencia en gestión de ventas, soporte profesional de varios componentes electrónicos, y tiene una gran cantidad de stock durante mucho tiempo.
Es principalmente agente de CCTC Advanced Capacitors Cerámicos
RICHTEK, SGMRICO, distribuye en AD, XILINX, ST, ALTERA, TI y todas las series de IC y resistores, inductores y moldes.Basado en la tecnología y orientado al mercado, hemos acumulado una rica experiencia empresarial y ha formado un sistema de gestión completo.ha establecido buenas relaciones de cooperación con fabricantes y agentes en los Estados Unidos, Europa, Japón, Corea del Sur y Taiwán, y ha mejorado constantemente la calidad del servicio.El negocio se ha desarrollado rápidamente y ha establecido relaciones de cooperación amistosas a largo plazo con muchos comerciantes y fabricantes de todo el paísLa empresa siempre se adhiere al concepto y propósito de desarrollo de "calidad primero, precio razonable, entrega rápida y servicio primero".Es nuestro deber proporcionar el servicio más satisfactorio a la empresaA través de un fuerte sistema de red de servicios de mercado, proporcionamos servicios estandarizados, profesionales, diversificados y de alta calidad a la empresa.
Telefono: +86-755-23606019
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- ¿ Qué pasa?
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Voltios 24/25 TBGA 2
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados IC
| Imagen | parte # | Descripción | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Voltios 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados IC |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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