JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados IC
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados IC
| Tecnología de micrones | |
| Categoría de producto: | No hay flash |
| DSM/SMT | |
| Se trata de la TSOP-56. | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| En paralelo | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 bits y 16 bits | |
| Asíncrono | |
| - 40 ° C. | |
| + 85 C | |
| Envases | |
| Marca: | El micrón |
| Tipo de memoria: | No |
| Tipo de producto: | No hay flash |
| Velocidad: | 110 ns |
| Estándar: | Interfaz flash común (CFI) |
| Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
| Tipo de vehículo: | Bloqueo de arranque |
Características
●2Gb = dispositivo apilado (dos matrices de 1Gb)
- Vcc = 2,7 - 3,6 V (programa, borrar, leer)
- VccQ= 1,65- -Vcc (1/0 tampones)
●Lectura aleatoria de páginas asíncrona
1 tamaño de página: 16 palabras o 32 bytes
1 Acceso a la página: 25ns
- Acceso aleatorio: 100 ns (BGA fortificado); 110 ns (TSOP)
● Programa de amortiguación: programa de amortiguación de 512 palabras
●Tiempo del programa
一0.88us por byte (1,14 MB/s) TYP cuando se utiliza el
Tamaño del búfer de 512 palabras en el programa de búfer
●Organización de la memoria
- Bloques uniformes: 128 kilobytes o 64 kwords cada uno
●Controller de programación y borrado
- Embedded byte (x8) / word (x16) programa algo-
Ritmos
●Capacidad de suspender y reanudar el programa/borrar
- Leer desde otro bloque durante un programa
Operación SUSPEND
- Leer o programar otro bloque durante una ERASE
Operación SUSPEND
Operación BLANK CHECK para verificar un bloque borrado
●Desbloquear el bypass, bloquear borrar, borrar el chip, y escribir a
capacidad de amortiguador
- Programación rápida de paquetes de almacenamiento en búfer
- Bloqueo rápido / borrado del chip
●Protección de pines Vpp/WP#
- Protege el primer o último bloque independientemente del bloque
ajustes de protección
Protección del software
- Protección contra volatilidad
- Protección no volátil
- Protección con contraseña
Un acceso con contraseña
● Bloque de memoria extendido
一128- palabra (256- byte) bloque para permanente, seguro
Identificación
1 Programado o bloqueado en la fábrica o por el
el cliente
●Bajo consumo de energía: modo de espera
●Conforme con la norma JESD47
一100, 000 ciclos mínimos de ERASE por bloque
- Retención de los datos: 20 años (TYP)
Tecnología de proceso de células multicelulares (MLC) de 65 nm
Paquete
Una TSOP de 56 pines, de 14 x 20 mm
BGA reforzado con 64 bolas, 13x 11 mm
●Los paquetes verdes están disponibles
- Cumple con la normativa RoHS
- Sin halógenos
●Temperatura de funcionamiento
- Ambiente: - 40°C a +85°C
Telefono: +86-755-23606019
Dirección: habitación 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu, Distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
- ¿ Qué pasa?
El teléfono es: +86-13420902155
El correo electrónico: sales@wisdtech.com.cn
En Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Por Skype: sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Voltios 24/25 TBGA 2
NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Voltios 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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