Circuitos integrados de NAND NAND (EEPROM) de 8 Gb 24nm con una potencia de 3.3 V
El número de unidades de la unidad es el número de unidades de la unidad de la unidad.
| Quíoxia | |
| Categoría de producto: | NAND flash |
| La norma RoHS: | |
| DSM/SMT | |
| Se aplican las siguientes condiciones: | |
| TC58CY | |
| 8 Gbit | |
| En paralelo | |
| 1 G x 8 | |
| 8 bits | |
| 2.7 V | |
| 3.6 V | |
| 30 mA | |
| - 40 ° C. | |
| + 85 C | |
| Envases | |
| Corriente de lectura activa - máximo: | 30 mA |
| Marca: | Kioxia América |
| Tipo de memoria: | NAND |
| Sensibilidad a la humedad: | - ¿ Qué? |
| Tipo de producto: | NAND flash |
| Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
| Peso unitario: | 0.019048 onzas |
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd es un proveedor a gran escala especializado en circuitos integrados de semiconductores famosos (ICS) de todo el mundo.
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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THGBMHG6C1LBAIL FLASH - IC de memoria NAND 64Gbit eMMC 52 MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
THGBMHG6C1LBAIL FLASH - NAND Memory IC 64Gbit eMMC 52 MHz 153-WFBGA (11.5x13)
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