Circuitos integrados de NAND NAND (EEPROM) de 8 Gb 24nm con una potencia de 3.3 V

Flash NAND SLC de 24 nm
,Flash NAND TH58NVG3S0HTAI0
,No se puede hacer más que eso.
El número de unidades de la unidad es el número de unidades de la unidad de la unidad.
Quíoxia | |
Categoría de producto: | NAND flash |
La norma RoHS: | |
DSM/SMT | |
Se aplican las siguientes condiciones: | |
TC58CY | |
8 Gbit | |
En paralelo | |
1 G x 8 | |
8 bits | |
2.7 V | |
3.6 V | |
30 mA | |
- 40 ° C. | |
+ 85 C | |
Envases | |
Corriente de lectura activa - máximo: | 30 mA |
Marca: | Kioxia América |
Tipo de memoria: | NAND |
Sensibilidad a la humedad: | - ¿ Qué? |
Tipo de producto: | NAND flash |
Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
Peso unitario: | 0.019048 onzas |
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd es un proveedor a gran escala especializado en circuitos integrados de semiconductores famosos (ICS) de todo el mundo.
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Imagen | parte # | Descripción | |
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THGBMHG6C1LBAIL FLASH - IC de memoria NAND 64Gbit eMMC 52 MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
THGBMHG6C1LBAIL FLASH - NAND Memory IC 64Gbit eMMC 52 MHz 153-WFBGA (11.5x13)
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