TPS7H4002HKH/EM Reguladores de voltaje de conmutación QMLV resistentes a la radiación
TPS7H4002HKH/EM Reguladores de voltaje de conmutación QMLV resistentes a la radiación
| Las acciones de Texas Instruments | |
| Categoría de producto: | Reguladores de voltaje de conmutación |
| La norma RoHS: | Detalles |
| 804 mV a 5,3 V | |
| 3 A | |
| 5.5 V | |
| 1 Producción | |
| - ¿ Por qué? | |
| El CFP-20 | |
| DSM/SMT | |
| de 100 kHz a 1 MHz | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| 3 V | |
| Marca: | Las acciones de Texas Instruments |
| Voltado de entrada: | De 3 V a 5,5 V |
| Producto: | Módulos de evaluación |
| Tipo de producto: | Reguladores de voltaje de conmutación |
| Apagado: | Apagado |
| Subcategoría: | PMIC - Interfaces integradas de gestión de energía |
| Válvula de alimentación - Min: | 3 V |
| Tipo de vehículo: | Sincronizado |
Descripción
El TPS7H4002-SP es un convertidor sincrónico de 5,5-V, 3-A, endurecido por radiación, que está optimizado para
En la actualidad, la mayoría de los sistemas de MOSFET están diseñados para diseños pequeños mediante una alta eficiencia y la integración de los MOSFET de lado alto y de lado bajo.
El control del modo de corriente, que reduce el número de componentes, y un alto nivel de control del espacio, permiten ahorrar espacio.
La frecuencia de conmutación,que reduce la huella del inductor. La rampa de arranque de la tensión de salida está controlada por
el pin SS/TR que permite el funcionamiento como fuente de alimentación independiente o en situaciones de seguimiento.
La secuenciación también es posible configurando correctamente los pines de activación y de descarga abierta.
el TPS7H4002-SP puede configurarse en modo primario-secundario para funcionamiento paralelo.Corrente ciclo por ciclo
El FET protege el dispositivo en situaciones de sobrecarga y se ve reforzado por una fuente de energía de lado bajo.
El límite de corriente que impide que la corriente se escape. También hay un límite de corriente de hundimiento que apaga el
El MOSFET de lado propio para evitar una corriente inversa excesiva.
excede el límite térmico.
Características
• Rendimiento de la radiación:
¢ Dureza radiactiva garantizada hasta 100 krad (Si)
¢ SEL, SEB y SEGR inmunes aLET = 75 MeV-cm2/mg
¢ SET y SEFI caracterizados hasta LET = 75 MeV-cm2/mg
• Eficiencia máxima: 96,9% (VO = 2,5 V)
• MOSFET integrados de 50 y 35 mΩ
• Carril de alimentación: de 3 a 5,5 V en el VIN
• 3-A corriente de salida máxima
• Opciones de conmutación de frecuencia flexibles:
Ocilador interno ajustable de 100 kHz a 1 MHz
Capacidad de sincronización externa: 100 kHz a 1 MHz
El pin SYNC puede configurarse como una salida de 500 kHz para primaria-secundariaLas aplicaciones
• 0,807-V ± 1,5% de sobretemperatura de referencia de voltaje, radiación y regulación de la línea y de la carga
• Monotónica puesta en marcha en salidas prebasadas
• Puesta en marcha suave ajustable mediante condensador externo
• Activación de la entrada y potencia de salida para la secuenciación de potencia
• Monitoreo de salida de potencia para bajo y sobrevoltado
• Bloqueo de bajo voltaje de entrada ajustable (UVLO)
• Un paquete cerámico de 20 pines de tamaño ultrapequeño y reforzado térmicamente para aplicaciones espaciales
