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M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC
Categoría:
circuitos integrados ics
Precio:
Email us for details
Forma de pago:
Paypal, TT, Western Union
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/Fedex
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Paquete:
El número de unidades de producción
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Resaltar:

IC de memoria EEPROM de 512 Kbit

,

IC de memoria SPI EEPROM

,

Se aplicará a los productos de las categorías M1 y M2.

Introducción

 

 

M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

STMicroelectrónica
Categoría de producto: EEPROM
La norma RoHS: Detalles
DSM/SMT
El número de unidades de producción
El SPI
512 kbit
64 k x 8
2.5 V
5.5 V
- 40 ° C.
+ 85 C
16 MHz
25 ns
200 años
8 mA
M95512-W
El tubo
Corriente de lectura activa - máximo: 8 mA
Marca: STMicroelectrónica
Alturas: 1.65 mm
Duración: 5 mm
Corriente de suministro de funcionamiento: 6 mA
Voltado de alimentación de funcionamiento: 3.3 V, 5 V
Tipo de producto: EEPROM
Voltado de programación: 2.5 V a 5.5 V
Subcategoría: Memoria y almacenamiento de datos
Ancho: 4 mm
Peso unitario: 0.019048 onzas

 

Descripción

Los dispositivos M95512 son memorias programables borrables eléctricamente (EEPROM) organizadas como

65536 x 8 bits,acedido a través del bus SPI. El M95512-W puede operar con un voltaje de alimentación de 2,5 V

El M95512-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95512-DF puede

operan con un voltaje de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, en un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.

 

El M95512-DF ofrece una página adicional, llamada página de identificación (128 bytes).

La página puede utilizarse para almacenar parámetros de aplicaciones sensibles que pueden ser (más tarde) bloqueados de forma permanente en

modo de sólo lectura.

 

 

Características

• Compatible con el bus de interfaz de periféricos serie (SPI)

• Matriz de memoria de 512 Kbit (64 Kbyte) de EEPROM Tamaño de página: 128 bytes Página adicional de escritura bloqueable

(Página de identificación)

• Tiempo de escritura Bytes Escribir en 5 ms Página Escribir en 5 ms

• Escribir protege ⁄ cuarta matriz ⁄ media matriz ⁄ toda la matriz de memoria

• Reloj de alta velocidad: 16 MHz

• Voltagem de alimentación única:  2,5 V a 5,5 V para M95512-W  1,8 V a 5,5 V para M95512-R  1,7 V a 5,5 V para M95512-DF

• Rango de temperatura de funcionamiento: desde -40 °C hasta +85 °C

• Protección mejorada de la DSE

• Más de 4 millones de ciclos de escritura

• Retención de datos durante más de 200 años

• Los paquetes  SO8N (ECOPACK2)  TSSOP8 (ECOPACK2)  UFDFPN8 (ECOPACK2)  WLCSP8 (ECOPACK2)

 

M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

 

 

Descripción

Los dispositivos M95512 son memorias programables borrables eléctricamente (EEPROM) organizadas como

65536 x 8 bits,acedido a través del bus SPI. El M95512-W puede operar con un voltaje de alimentación de 2,5 V

El M95512-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95512-DF puede

operan con un voltaje de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, en un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.

 

El M95512-DF ofrece una página adicional, llamada página de identificación (128 bytes).

La página puede utilizarse para almacenar parámetros de aplicaciones sensibles que pueden ser (más tarde) bloqueados de forma permanente en

modo de sólo lectura.

 

Características

• Compatible con el bus de interfaz de periféricos serie (SPI)

• Matriz de memoria de 512 Kbit (64 Kbyte) de EEPROM Tamaño de página: 128 bytes Página adicional de escritura bloqueable

(Página de identificación)

• Tiempo de escritura Bytes Escribir en 5 ms Página Escribir en 5 ms

• Escribir protege ⁄ cuarta matriz ⁄ media matriz ⁄ toda la matriz de memoria

• Reloj de alta velocidad: 16 MHz

• Voltagem de alimentación única:  2,5 V a 5,5 V para M95512-W  1,8 V a 5,5 V para M95512-R  1,7 V a 5,5 V para M95512-DF

• Rango de temperatura de funcionamiento: desde -40 °C hasta +85 °C

• Protección mejorada de la DSE

• Más de 4 millones de ciclos de escritura

• Retención de datos durante más de 200 años

• Los paquetes  SO8N (ECOPACK2)  TSSOP8 (ECOPACK2)  UFDFPN8 (ECOPACK2)  WLCSP8 (ECOPACK2)

 

 

M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

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M95512-WMN6P EEPROM Memoria IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuitos integrados 8-SOIC

 

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Las existencias:
Cuota de producción:
1pcs