MT40A1G16KNR-075:E SDRAM IC de memoria DDR4 16Gbit paralelo a 1,33 GHz 19 ns Circuito integrado
MT40A1G16KNR-075: E
,MT40A1G16KNR-075:E IC de memoria
,SDRAM DDR4 IC de memoria
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - IC de memoria DDR4 16Gbit paralelo a 1,33 GHz 19 ns
| Tecnología de micrones | |
| Categoría de producto: | Dispositivos de almacenamiento |
| La norma RoHS: | Detalles |
| SDRAM - DDR4 | |
| DSM/SMT | |
| Se trata de la FBGA-96. | |
| 16 bits | |
| 1 G x 16 | |
| 16 Gbit | |
| 1.6 GHz | |
| 13.5 ns | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| Las demás: | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT4A | |
| Envases | |
| Marca: | El micrón |
| Sensibilidad a la humedad: | - ¿ Qué? |
| Tipo de producto: | Dispositivos de almacenamiento |
| Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
| Nombre comercial: | - ¿ Qué quieres decir? |
| Peso unitario: | 0.227649 onzas |
Descripción
La 16Gb (TwinDieTM) DDR4 SDRAM utiliza la matriz DDR4 SDRAM de 8Gb de Micron; dos x8s combinados para hacer
Una x16. señales similares a mono x16, hay una conexión ZQ adicional para una calibración ZQ más rápida y un
Se requiere un control BG1 para la dirección x8. Consulte la hoja de datos de 8Gb DDR4 SDRAM de Micron (opción x8)
las especificaciones no incluidas en este documento. Las especificaciones para el número de pieza base MT40A1G8 se correlacionan
a la pieza de fabricación de TwinDie con el número de pieza MT40A1G16.
Características
• Utiliza dos matrices de micrones de 8 GB para hacer una de 16 GB.
• TwinDie de rango único • VDD = VDDQ = 1,2 V (1,14-1,26 V)
• 1.2V con terminación VDDQ
• Ball-out según el estándar JEDEC
• Paquete de bajo perfil
• TC de 0°C a 95°C - 0°C a 85°C: 8192 ciclos de actualización en 64 ms - 85°C a 95°C: 8192 ciclos de actualización en 32 ms
Configuración de opciones
- 64 Megx 16 x 16 bancos x 1 rango
Paquete FBGA de 96 bolas (sin Pb)
-9.5 mmx14 mmx1.2 mmDieRev: A. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
- 8,0 mm x 14 mm x 1,2 mm DieRev: B, D
- 7.5 mm x 13.5 mm x 1.2 mm El rev:E
Tiempo - tiempo del ciclo
- 0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL= 21 (DDR4-2933)
- 0,750ns @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750ns @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0.833ns @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0.833ns @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0.937ns @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1.071ns @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Autorefrescamiento
- El estándar.
Temperatura de funcionamiento
- Comercial (0 °C ≤ 95 °C)
Revisado
El MT40A1G16KNR-075:E es un número de pieza específico para un módulo de memoria.
MT40A1G16KNR-075:E basado en los resultados de búsqueda:
-
Fabricante y producto:
- El MT40A1G16KNR-075:E es fabricado por Micron, una compañía conocida en la industria de la memoria y el almacenamientoLas demás:.
- Es un módulo de memoria que pertenece a la DDR4 SDRAM (Duple Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random
- Acceso a la memoria) familiaLas demás:.
-
Especificaciones:
- Capacidad: El número "1G" en el número de la parte indica una capacidad de 1 Gigabit (Gb), que equivale a 128 Megabytes
- (MB)Las demás:.
- Organización: el "16" en el número de la parte representa la organización del módulo de memoria, que es de 16 bitsLas demás:.
- Velocidad: el "075" en el número de la pieza indica el grado de velocidad del módulo.
- velocidad de transferencia de 2133 megatransferencias por segundo (MT/s)Las demás:.
- Tensión: la "E" en el número de la pieza indica el nivel de tensión del módulo, que es de 1,2 voltios.Las demás:.
-
Aplicación:
- El módulo de memoria MT40A1G16KNR-075:E se utiliza comúnmente en varios dispositivos electrónicos como computadoras, servidores y otros sistemas que requieren memoria de alto rendimientoLas demás:.
