MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR IC de memoria 64Mbit SPI 104 MHz IC de circuitos integrados 16-SOP
Categoría:
circuitos integrados ics
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, TT, Western Union
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/FEDEX
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Paquete:
SOP16
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Resaltar:
MX25L6445EMI-10G
,Memoria IC de 64 Mbit
,MX25L6445EMI-10G IC de circuitos integrados
Introducción
MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR IC de memoria 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP
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Categoría
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El Sr.
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Serie
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Estado del producto
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No para nuevos diseños
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DigiKey es programable
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Verificado
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Tipo de memoria
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No volátiles
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| Paquete | El tubo |
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Formato de memoria
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Tecnología
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FLASH - Ni siquiera
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Tamaño de la memoria
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Organización de la memoria
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8M x 8
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Interfaz de memoria
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El SPI
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Frecuencia del reloj
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104 MHz
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Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página
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300 μs, 5 ms
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Voltagem - Suministro
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2.7V ~ 3.6V
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Temperatura de funcionamiento
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-40 °C ~ 85 °C (TA)
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Tipo de montaje
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Montura de la superficie
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Envase / estuche
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Paquete de dispositivos del proveedor
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16-SOP
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Número del producto de base
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Descripción:
Interfaz periférica en serie compatible - Modo 0 y Modo 3
● ¿Qué es?64 Mb: 67,108,864 x estructura de 1 bit o 33,554,432 x 2 bits (dos modos /0)
estructura o 16,777, 216 x 4 bits (cuatro modos 10) estructura
● ¿Qué es?2048 Sectores iguales con 4 bytes cada uno
- Cualquier sector puede ser borrado individualmente.
● ¿Qué es?256 Bloques iguales con 32K bytes cada uno
- Cualquier bloque puede ser borrado individualmente
● ¿Qué es?128 Bloques iguales con 64K bytes cada uno
- Cualquier bloque puede ser borrado individualmente
● ¿Qué es?Función de suministro de energía
- de 2,7 a 3,6 voltios para las operaciones de lectura, borrado y programación
● ¿Qué es?Protección de cierre a 100 mA desde -1V hasta Vcc +1V
El Consejo Europeo
●Alto rendimiento
VCC = 2,7 ~ 3,6 V
- Lectura normal.
- 50MHz. - ¿ Qué?
- Lectura rápida (modo de serie normal)
.1 10: 104 MHz con 8 ciclos de maniquí
-2 l/O: 70 MHz con 4 ciclos de simulación
- 4 IO: 70 MHz con 6 ciclos de simulación
- Lectura rápida (modo de doble tasa de transferencia)
-1 10: 50 MHz con 6 ciclos de maniquí
- 2 IO: 50 MHz con 6 ciclos de simulación
-410: 50 MHz con 8 ciclos de simulación
- Tiempo de programación rápido: 1,4 ms (típico) y 5 ms (máximo) por página (256- byte por página)
- Tiempo de programación por byte: 9 us (típico)
Modo de programación continua (aumentar automáticamente la dirección bajo el modo de programación de palabras)
. Tiempo de borrado rápido: 60 ms (tipo / sector (4K-byte por sector); 0,7 s (tipo) / bloque (64K-byte por bloque); 50 s (tipo) / chip
● ¿Qué es?Bajo consumo de energía
- Baja corriente activa de lectura: 19 mA (máx.) a 104 MHz, 15 mA (máx.) a 66 MHz y 10 mA (máx.) a 33 MHz
- Baja corriente de programación activa: 25 mA (máximo)
- Baja corriente activa de borrado: 25 mA (máximo)
- Baja corriente de espera: 50 uA (máximo)
- Corriente baja de potencia profunda: 20 uA (máximo)
100 000 ciclos típicos de borrado/programa
20 años de conservación de datos
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
1pcs
