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MIC5166YML-TR Gestión de energía especializada - PMIC IC 3A Memoria DDR y bus de alta velocidad

Categoría:
circuitos integrados ics
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, TT, Western Union
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/FEDEX
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Paquete:
El VDFN-10
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Resaltar:

MIC5166YML-TR

,

MIC5166YML-TR IC PMIC para el control de las emisiones

Introducción

 

 

MIC5166YML-TR Gestión de energía especializada - PMIC IC 3A Memoria DDR y bus de alta velocidad

MIC5166YML-TR Gestión de energía especializada - PMIC 3A Memoria DDR y bus de alta velocidad

El microchip
Categoría de producto: Gestión de energía especializada - PMIC
La norma RoHS: Detalles
Regulador de terminación del DDR
DSM/SMT
El VDFN-10
3 A
900 mV a 3,6 V
450 mV a 1,8 V
- 40 ° C.
+ 125 C
3 mA
El rollo
Cortar la cinta
MouseReel es un juego de cartas.
Marca: Tecnología de microchips
Voltado de entrada, máximo: 3.6 V
Válti­dad de entrada, min: 900 mV
Válvula de salida máxima: 1.8 V
Sensibilidad a la humedad: - ¿ Qué?
Tipo de producto: Gestión de energía especializada - PMIC
Subcategoría: PMIC - Interfaces integradas de gestión de energía
Parte # Alias: MIC5166YML TR
Peso unitario: 0.000801 onzas
 
Descripción:
El MIC5166 es un 3A, de alta velocidad, lineal, bajo VIN,
velocidad de datos doble (DDR), potencia del terminador de memoria
La pieza es pequeña y requiere poca producción.
Los condensadores, por lo que es una pequeña solución global.
que se coloque convenientemente cerca de la memoria DDR,
minimizando la inductancia de la disposición de la placa de circuito que puede
Causan una onda de voltaje excesiva en la memoria DDR.
El MIC5166 contiene un divisor de tensión de precisión
En el caso de las redes de alta tensión, la tensión de la red de alta tensión es la misma que la tensión de la red de alta tensión.
tensión de referencia y convenientemente salida de la
tensión de terminación (Vτ) a la mitad de la tensión de entrada VopQ.
El MIC5166 es capaz de hundirse y obtener hasta
Es estable con sólo dos salidas cerámicas de 10 μF
La pieza está disponible en un tamaño pequeño de 3 mm
Envase reforzado térmicamente de 3 mm DFN.
El MIC5166 tiene una etapa de salida NMOS de lado alto
ofreciendo una impedancia de salida muy baja y muy alta
La etapa de salida NMOS ofrece una
Capacidad para responder muy rápidamente a cambios repentinos de carga
con una potencia de terminación de la memoria DDR
las aplicaciones de suministro.

 

 

Características

● Rango de tensión de funcionamiento:
- Suministro de Vopa: de 0,9 a 3,6 V
Fuente de alimentación de sesgo: de 2,5 V a 5,5 V
●Alto ancho de banda: respuesta transitoria muy rápida
● Es estable con dos condensadores de salida cerámicos de 10 μF
●Dos condensadores de salida de 10 μF utilizados en la mayoría de las aplicaciones
●Precisión de alta tensión de salida:
0.015% Reglamento de línea
1Regulación de carga del 0,5%
●Nivel lógico permite la entrada
● Potencia buena (PG)
●DEFN de 3 mm x 3 mm reforzado térmicamente
●Rango de temperatura de la unión - 40°C a +125°C
● Este dispositivo cumple con los requisitos DDR4
 
Aplicaciones
●Computadoras de escritorio
●Computadoras portátiles
●Sistemas de computación de datos
●Servidores
● Tarjetas de vídeo

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Las existencias:
Cuota de producción:
1pcs