IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Asíncrona SRAM 3.3v Circuitos integrados IC

El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripción
El ISSI IS61WV5128Axx y el IS61/64WV5128Bxx
son muy de alta velocidad, baja potencia, 524.288 palabras por
RAM estática CMOS de 8 bits El IS61 WV5128Axx y
IS61/64WV5128Bxx se fabrican con el uso de alta
La tecnología CMOS de alto rendimiento.
El objetivo de este programa es:
Produce un mayor rendimiento y un bajo consumo de energía
los dispositivos.
Cuando el CE es alto (deseleccionado), el dispositivo asume
un modo de espera en el que la disipación de energía puede ser
reducido con los niveles de entrada CMOS.
El IS61WV5128Axx y el IS61/64WV5128Bxx funcionan
de una sola fuente de alimentación.
Los modelos IS61WV51 28ALL e IS61/64WV5128BLL están disponibles para el mercado europeo.
con capacidad para 36 pines de SOJ de 400 milímetros, 36 pines de mini BGA y 44 pines
Envases de tipo TSOP (tipo I).
El IS61WV5128ALS y el IS6 1/64WV5128BLS son
disponible en formato 32-pinTSOP (tipo I), 32-pin sTSOP (tipo l),
Los paquetes SOP de 32 pines y TSOP de 32 pines (tipo I1).

Características
La velocidad máxima de los motores de las categorías A y B será la velocidad máxima de las categorías A y B.
●Tiempo de acceso de alta velocidad:8, 10, 20 ns
● Baja potencia activa: 85 mW (típico)
● Baja potencia de espera: 7 mW (típica)
CMOS en modo de espera
La potencia de la unidad de control de la potencia de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.
●Tiempo de acceso a alta velocidad: 25, 35 ns
● Baja potencia activa: 35 mW (típico)
● Baja potencia de espera: 0,6 mW (típica)
CMOS en modo de espera
●Proporcionador de energía único
- Voo de 1,65 a 2,2 V (IS61 WV5128Axx)
- VoD de 2,4 V a 3,6 V (IS61/64WV5128Bxx)
●Funcionamiento totalmente estático: sin reloj ni actualización
requerido
●Los resultados de tres estados
●Atención a la temperatura en el sector industrial y automotriz
●Disponible sin plomo

El IS61WV5128BLL-10TLI es un número de pieza específico para un dispositivo de memoria.

módulo de memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) fabricado por Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).

Aquí hay algo de información sobre este dispositivo de memoria en particular:

• Capacidad de memoria: 128 megabits (Mb) o 16 megabytes (MB)
• Tipo de memoria: SRAM asincrónica
• Tiempo de acceso: 10 ns (nanosegundos)
• Organización: 4 bancos x 4.096 filas x 2.048 columnas
• Tipo de paquete: TSOP de 44 pines (paquete delgado de contorno pequeño)
• Rango de temperatura: industrial (de -40 °C a +85 °C)
• Suministro de voltaje: el IS61WV5128BLL-10TLI funciona con un rango de suministro de voltaje de 2,7V a 3,6V.
• Densidad: El dispositivo de memoria tiene una densidad de 128 megabits (Mb), que equivale a 16 megabytes (MB).
• Tiempo de acceso: El tiempo de acceso especifica la velocidad a la que los datos pueden leerse o escribirse en la memoria.
• En este caso, el tiempo de acceso es de 10 nanosegundos (ns), lo que indica una operación relativamente rápida.
• Organización: La memoria está organizada en 4 bancos, cada uno de los cuales consta de 4.096 filas y 2.048 columnas.
• Esta organización permite el almacenamiento y la recuperación eficientes de datos.
• Tipo de paquete: el IS61WV5128BLL-10TLI viene en un factor de forma TSOP (Paquete delgado de contorno pequeño) de 44 pines.
• Este paquete se utiliza comúnmente para circuitos integrados y proporciona un diseño compacto para una fácil integración en
• los sistemas electrónicos.
• Rango de temperatura: La memoria está diseñada para funcionar dentro de un rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C.
• Este amplio rango de temperaturas permite un funcionamiento confiable en diversos entornos.