Circuitos integrados GS88036CGT-200I SRAM 2.5 o 3.3V 256K x 36 9M

• Pín FT para el flujo a través o la operación de tuberías configurable por el usuario
• Operación de deselección de ciclo único (SCD)
• 2.5 V o 3.3 V +10%/~10% de fuente de alimentación del núcleo
• 2.5 V o 3.3 V de alimentación de entrada y salida
• Pin LBO para el modo de explosión lineal o interrelacionado
• Las resistencias de entrada internas en los pines de modo permiten pines de modo flotante
• Modo por defecto de tubería intercalada
• Operación de escritura por byte (BW) y/o de escritura global (GW)
• Ciclo de escritura automático interno
• Apagado automático para aplicaciones portátiles
• Paquete TQFP de 100 puntos de referencia de la norma JEDEC
• Disponible el paquete TQFP de 100 plomo conforme a la Directiva RoHS
• Pin FT para el flujo o tubería configurable por el usuariooperación
• Operación de deselección de ciclo único (SCD)
• 2.5 V o 3.3 V +10%/- 10% de fuente de alimentación del núcleo
• 2.5 V o 3.3 V de alimentación de entrada y salida
• Pin LBO para el modo de explosión lineal o interrelacionado
• Las resistencias de entrada internas en los pines de modo permiten pines de modo flotante
• Modo por defecto de tubería intercalada
• Operación de escritura por byte (BW) y/o de escritura global (GW)
• Ciclo de escritura automático interno
• Apagado automático para aplicaciones portátiles
• Paquete TQFP de 100 lcad de la norma JEDEC
• Disponible el paquete TQFP de 100 plomo conforme a la Directiva RoHS

Los controles
Direcciones, entradas/salidas de datos, chips habilitados (E1, E2, E3), explosión de direcciones
entradas de control (ADSP, ADSC, ADV) y entradas de control de escritura
(Bx, BW, GW) son síncronas y están controladas por un
entrada de reloj activada por el borde positivo (CK).
Las señales de entrada y el control de apagado (ZZ) son asíncronas.
Los ciclos pueden iniciarse con entradas ADSP o ADSC.
Modo de explosión, se generan direcciones de explosión posteriores
La dirección de la explosión es la dirección de la explosión, la dirección de la explosión es la dirección de la explosión.
el contador puede configurarse para contar en forma lineal o

El orden de interposición con la entrada de orden de estallido lineal (LBO).
No es necesario utilizar la función de arranque. Se pueden cargar nuevas direcciones
en cada ciclo sin degradación del rendimiento del chip.
Cantidad de flujo a través de la tubería
La función del registro de datos de salida se puede controlar mediante
el usuario a través del pin del modo FT (Pin 14).
El pin bajo coloca la RAM en el modo de flujo a través, causando
datos de salida para eludir el registro de datos de salida.
coloca la memoria RAM en el modo Pipcline, activando el
Registro de salida de datos activado por el borde.
Lecturas en tubería del SCD
El GS88018/32/36CT es un SCD (Desclect de ciclo único)
SRAM sincronizada por tubería. DCD (deselección de doble ciclo)
SCD SRAMs deseleccionan la línea de conducción
Los comandos son un nivel menos que los comandos de lectura.
Comienzan a apagar sus salidas inmediatamente después de la desactivación
El comando ha sido capturado en los registros de entrada.
Escribir por byte y escribir global
La operación de escritura de byte se realiza usando Byte Write enable
(BW) entrada combinada con uno o más bytes individuales escribir
Además, Global Write (GW) está disponible para
escribiendo todos los bytes a la vez, independientemente del Byte Write
las entradas de control.
Modo de reposo
Se obtiene una baja potencia (modo de reposo) mediante la afirmación
(Alto) de la señal ZZ, o deteniendo el reloj (CK).
Los datos de memoria se retienen durante el modo de reposo.
Tensiones del núcleo y de la interfaz
El GS8801 8/32/36CT funciona con una potencia de 2,5 V o 3,3 V
Todas las entradas son compatibles con 3,3 V y 2,5 V.
Los pines de potencia de salida (Vppo) se utilizan para desacoplar el ruido de salida.
de los circuitos internos y son compatibles con 3,3 V y 25 V.