IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds
Especificaciones
Código de fecha:
Código más reciente
Envío por:
DHL/UPS/Fedex
Condición:
Nuevo*Original
Garantización:
365 días
Sin plomo:
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega:
Envío inmediato
Introducción
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IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds
| IXYS | |
| Categoría de producto: | Modulos de semiconductores discretos |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Módulos MOSFET de potencia | |
| Sí, sí. | |
| - 30 V, más 30 V | |
| Montura del chasis | |
| Se trata de la SOT-227-4 | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| El número de unidades de seguridad de la aeronave | |
| El tubo | |
| Marca: | IXYS |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 15 ns |
| Alturas: | 9.6 mm |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 38 A |
| Duración: | 38.23 mm |
| Número de canales: | 1 Canal |
| Pd - Disposición de energía: | 890 W |
| Tipo de producto: | Modulos de semiconductores discretos |
| Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: | 250 mOhms |
| Tiempo de ascenso: | 28 ns |
| Subcategoría: | Modulos de semiconductores discretos |
| Nombre comercial: | HIPERFET |
| Polaridad del transistor: | N-canal |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 57 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 25 ns |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: | 1 kV |
| Ancho: | 25.42 mm |
| Peso unitario: | 1.058219 onzas |
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Las existencias:
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Cuota de producción:
1pcs

