FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Categoría:
N P Canal Mosfet
Especificaciones
Tipo de transistor::
1 canal N
Vgs - Voltaje de puerta-fuente::
- 30 V, + 30 V
Resaltar:
FQA11N90C
,MOSFET 900V
,FQA11N90C MOSFET
Introducción
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| El fabricante: | en semi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Sí, sí. |
| Estilo de montaje: | A través del agujero |
| Embalaje / estuche: | Se trata de la siguiente información: |
| Polaridad del transistor: | N-canal |
| Número de canales: | 1 Canal |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: | Las demás: |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 11 A |
| Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: | 1.4 ohmios |
| Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: | - 30 V, más 30 V |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 °C |
| Pd - Disposición de energía: | 300 W |
| Modo de canal: | Mejoramiento |
| Embalaje: | El tubo |
| Marca: | en semi / Fairchild |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 85 ns |
| Transconductividad hacia adelante - Min: | 9 S |
| Alturas: | 20.1 mm |
| Duración: | 16.2 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de ascenso: | 130 ns |
| Envasado de fábrica | 30 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo de vehículo: | MOSFET |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 130 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 60 ns |
| Ancho: | 5 mm |
| Parte # Alias: | FQA11N90C_NL |
| Peso unitario: | 0.162260 onzas |
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Cuota de producción:
